삼성전자가 세계 첫 3나노(1나노=10억분의 1) 초미세 반도체 공정 개발에 성공했다.
초미세 공장에서 경쟁사들을 앞서면서 2030년 시스템반도체 세계 1위를 달성하겠다는 비전에 청신호가 켜졌다.
이재용 부회장은 2일 화성사업장 반도체연구소를 방문해 '삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술'을 보고 받았다.
이 자리에는 김기남 부회장, 정은승 사장, 진교영 사장, 강인엽 사장, 강호규 반도체 연구소장 부사장 등 반도체 핵심 인력이 참석했다.
3나노 반도체는 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용했다. 최근 공정개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩면적을 약 35% 이상 줄일 수 있다. 또 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있는 제품이다.
