EUV 멀티레이어 공정 도입…생산성·소비전력 개선삼성전자는 12 일 극자외선( EUV ) 공정을 적용한 14 나노 D램을 양산한다고 밝혔다.
삼성전자 14 나노 D램은 5개 레이어에 EUV 공정을 적용했다. 삼성전자는 이전 세대보다 생산성이 20 % 높아지고 소비전력은 이전 공정보다 20 % 개선됐다고 설명했다.
삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 ( Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5 의 최고 속도는 7.2Gbps 다. 1Gbps 는 1초에 대략 10 억비트 데이터를 보낼 수 있다는 뜻이다.
삼성전자의 14 나노 D램(사진=삼성전자)
삼성전자는 DDR5 가 DDR4 보다 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이라고 소개했다. 그러면서 인공지능( AI )·머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터·슈퍼컴퓨터·기업용서버 시장 등에서 고성능 DDR5 수요가 커지고 있다고 전했다.
삼성전자는 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산해 고용량 데이터 수요에 대응하기로 했다. 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현하는 EUV 노광 기술을 적용해 D램 성능과 수율을 향상하고 14 나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 우위를 확보할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 “삼성전자는 가장 먼저 멀티 레이어에 EUV 공정을 적용해 14 나노 공정을 구현했다”며 “고용량·고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI· 메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다”고 말했다.
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