삼성과 IBM이 67차 IEDM에서 차세대 반도체칩의 설계기술을 위한 주요 돌파구를 마련했다고 밝혔습니다
삼성, IBM의 Vertical Transport Field Effect Transistor(VTFET)은 현재의 FinFET 구조설계에 비해 2배의 성능과 85% 향상된 전력소모 효율을 기대한다고 합니다
VTFET는 electrostatic과 parasitic losses를 줄임으로 눈에 띌정도로 향상된 작동전압과 구동전류를 가집니다
오이오이~ 삼성 이자식! 너 또 다시 성공해버린거냐굿!!!
뭔말인지는 모르겠지만 잘했다